ٹوکیو: 20 سے زائد جاپانی اور امریکی چپ ساز مشترکہ طور پر ایک ٹیکنالوجی تیار کریں گے تاکہ ایم ریم (مقناطیسی مزاحمتی رینڈم ایکسس میموری) کو استعمال کر کے اگلی نسل کے سیمی کنڈکٹر کی بڑے پیمانے پر پیداوار حاصل کی جا سکے، یہ بات کاروباری روزنامے نیکےئی نے اتوار کو بتائی۔
اخبار نے ذرائع کا حوالہ دئیے بغیر بتایا، امریکی چپ دیو مائیکرون ٹیکنالوجی اور جاپان کا ٹوکیو الیکٹرون اس منصوبے کی قیادت کریں گے، جو ٹیکنالوجی کو تین برسوں کے اندر بہترین بنانے اور 2018 تک بڑے پیمانے کی پیداوار شروع کرنے کی امید رکھتے ہیں۔
ایم ریم کو موجودہ معیار ڈی ریم (ڈائنامک رینڈم ایکسس میموری) کے مقابلے میں کمپیوٹنگ کے لیے اگلے افق کے طور پر پیش کیا جا رہا ہے۔
نیکےئی نے کہا، زیرِ تیاری اس ٹیکنالوجی میں ڈی ریم کی نسبت میموری کی گنجائش 10 گنا زیادہ ہو گی اور موجودہ معیار کے مقابلے میں بجلی کی کھپت میں قریباً دو تہائی تک کمی واقع ہو گی۔
نیکےئی نے کہا توہوکو یونیورسٹی، سیندائی، شمالی جاپانی، میں واقع اس تحقیقی منصوبے کے دوسرے شرکاء میں شین ایتسو کیمیکل، رینے ساس الیکٹرونکس اور ہٹاچی شامل ہیں۔
